HYG065N07NS1D دیتاشیت

HYG065N07NS1D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG065N07NS1D
حجم فایل 68.375 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت HYG065N07NS1D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG065N07NS1D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 62.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 52nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 70V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.908nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 70A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 21pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,40A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه