HYG065N07NS1D دیتاشیت

HYG065N07NS1D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG065N07NS1D
حجم فایل 68.375 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HYG065N07NS1D-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG065N07NS1D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 62.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 52nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 70V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.908nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 70A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 21pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,40A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه