G65P06D5 دیتاشیت

G65P06D5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G65P06D5
حجم فایل 82.738 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G65P06D5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD G65P06D5
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 104W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 75nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5814pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 65A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 234pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 13.5mΩ
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه