BCM856BSH دیتاشیت

BCM856DS,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BCM856DS,115
حجم فایل 54.259 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت BCM856DS,115

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia BCM856BSH
  • Transistor Type: 2PCSPNPPairing
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 175MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 65V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-323-6
  • Manufacturer: Nexperia