دیتاشیت BSC190N12NS3 G

BSC190N12NS3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSC190N12NS3 G
حجم فایل 58.651 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت BSC190N12NS3 G

BSC190N12NS3 G Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSC190N12NS3 G
  • Power Dissipation (Pd): 69W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 120V
  • Continuous Drain Current (Id): 8.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@42uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ@10V,39A
  • Package: TDSON-8(6x5)
  • Manufacturer: Infineon Technologies