دیتاشیت BSC190N12NS3 G
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
BSC190N12NS3 G
|
حجم فایل |
58.651
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
10
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies BSC190N12NS3 G
-
Power Dissipation (Pd):
69W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
120V
-
Continuous Drain Current (Id):
8.6A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@42uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
19mΩ@10V,39A
-
Package:
TDSON-8(6x5)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies