- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت Infineon BSC190N12NS3GATMA1
BSC190N12NS3 G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | Infineon BSC190N12NS3GATMA1 |
|---|---|
| حجم فایل | 58.651 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت Infineon BSC190N12NS3GATMA1 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies BSC190N12NS3 G
- Power Dissipation (Pd): 69W
- Drain Source Voltage (Vdss): 120V
- Continuous Drain Current (Id): 8.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@42uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ@10V,39A
- Package: TDSON-8(6x5)
- Manufacturer: Infineon Technologies
