دیتاشیت SI1967DH-T1-GE3

SI1967DH-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1967DH-T1-GE3
حجم فایل 81.523 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت SI1967DH-T1-GE3

SI1967DH-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1967DH-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.25W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 4nC@8V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 110pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 790mΩ@1.8V,250mA
  • Package: SOT-363
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه