- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت BF998E6327
BF998E6327 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | BF998E6327 |
|---|---|
| حجم فایل | 68.747 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت BF998E6327 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies BF998E6327
- Power Dissipation (Pd): 200mW
- Drain Source Voltage (Vdss): 12V
- Continuous Drain Current (Id): 30mA
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
- Package: SOT-143
- Manufacturer: Infineon Technologies