Taiwan Semiconductor BZT52B3V9-G RHG دیتاشیت

BZT52B3V9-G RHG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BZT52B3V9-G RHG
حجم فایل 70.033 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت BZT52B3V9-G RHG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Impedance(Zzk): 600Ω
  • Impedance(Zzt): 90Ω
  • Zener Voltage(Nom): 3.9V
  • Diode Configuration: Independent
  • Zener Voltage(Range): 3.82V~3.98V
  • Pd - Power Dissipation: 410mW
  • Reverse Leakage Current (Ir): 3uA
  • Operating Junction Temperature Range: -55℃~+150℃
  • Package: SOD-123

محصولات مشابه