دیتاشیت BUK969R3-100E,118

BUK969R3-100E,118

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BUK969R3-100E,118
حجم فایل 64.818 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت BUK969R3-100E,118

BUK969R3-100E,118 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia BUK969R3-100E,118
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 263W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 94.3nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 11650pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.1V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 312pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.49mΩ@5V,25A
  • Package: D2PAK
  • Manufacturer: Nexperia