SI7478DP-T1-E3 دیتاشیت

SI7478DP-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI7478DP-T1-E3
حجم فایل 84.095 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SI7478DP-T1-E3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI7478DP-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.9W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 160nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 15A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@20A,10V
  • Package: PowerPAKSO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه