دیتاشیت SIHP120N60E-GE3

SIHP120N60E-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIHP120N60E-GE3
حجم فایل 89.644 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت SIHP120N60E-GE3

SIHP120N60E-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIHP120N60E-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 179W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1562pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 25A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 120mΩ@12A,10V
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه