SI1467DH-T1-E3 دیتاشیت

SI1467DH-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1467DH-T1-E3
حجم فایل 80.395 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SI1467DH-T1-E3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1467DH-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W;2.78W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 13.5nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 561pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 90mΩ@2A,4.5V
  • Package: SOT-363-6
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه