DMN2005DLP4K-7 دیتاشیت

DMN2005DLP4K-7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DMN2005DLP4K-7
حجم فایل 62.517 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت DMN2005DLP4K-7

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Diodes Incorporated DMN2005DLP4K-7
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 400mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 300mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@100uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.5Ω@10mA,4V
  • Package: DFN-6(1x1.3)
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه