دیتاشیت TSM2309CX RFG
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
TSM2309CX RFG
|
حجم فایل |
66.328
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
5
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Taiwan Semiconductor TSM2309CX RFG
-
Power Dissipation (Pd):
1.56W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
8.2nC@10V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
425pF@30V
-
Continuous Drain Current (Id):
3.1A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
190mΩ@3A,10V
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
Taiwan Semiconductor