RQ3G100GNTB دیتاشیت

RQ3G100GNTB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RQ3G100GNTB
حجم فایل 75.639 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت RQ3G100GNTB-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RQ3G100GNTB
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 8.4nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 615pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 10A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 14.3mΩ@10A,10V
  • Package: HSMT-8
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه