دیتاشیت PUMZ1,115
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
PUMZ1,115
|
| حجم فایل |
51.873
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
8
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Nexperia PUMZ1,115
-
Transistor Type:
1PCSNPN&1PCSPNP
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
100mA
-
Power Dissipation (Pd):
300mW
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
120@1mA,6V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
200mV@50mA,5mA
-
Package:
SOT-323-6
-
Manufacturer:
Nexperia
