FQPF33N10 دیتاشیت

FQPF33N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQPF33N10
حجم فایل 66.671 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت FQPF33N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FQPF33N10
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 41W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 51nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1500pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 18A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 52mΩ@9A,10V
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه