BSO080P03NS3 G دیتاشیت

BSO080P03NS3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSO080P03NS3 G
حجم فایل 72.871 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت BSO080P03NS3 G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSO080P03NS3 G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.6W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 81nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6750pF@15V
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.1V@150uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@14.8A,10V
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه