NVMJS1D3N04CTWG دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
NVMJS1D3N04CTWG
|
|
حجم فایل
|
91.572
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
7
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi NVMJS1D3N04CTWG
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
3.8W;128W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
65nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
40V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
4300pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
41A;235A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.5V@170uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.3mΩ@50A,10V
-
Package:
LFPAK-8
-
Manufacturer:
onsemi
