دیتاشیت SIR610DP-T1-RE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SIR610DP-T1-RE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 104.986 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت SIR610DP-T1-RE3 |
SIR610DP-T1-RE3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SIR610DP-T1-RE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 104W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 38nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 200V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 1380pF@100V
- Continuous Drain Current (Id): 35.4A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 31.9mΩ@10A,10V
- Package: PowerPAK-SO-8
- Manufacturer: Vishay Intertech
