IPP026N10NF2SAKMA1 دیتاشیت

IPP026N10NF2SAKMA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPP026N10NF2SAKMA1
حجم فایل 47.846 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت IPP026N10NF2SAKMA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPP026N10NF2SAKMA1
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.8W;250W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 154nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7300pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 27A;184A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.8V@169uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.6mΩ@100A,10V
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه