دیتاشیت PSMN3R9-100YSFX
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
PSMN3R9-100YSFX
|
| حجم فایل |
70.798
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
12
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Nexperia PSMN3R9-100YSFX
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
245W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
111nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
7360pF@50V
-
Continuous Drain Current (Id):
120A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@1mA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
4.3mΩ@25A,10V
-
Package:
SOT-1023
-
Manufacturer:
Nexperia
