RUC002N05T116 دیتاشیت

RUC002N05T116

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RUC002N05T116
حجم فایل 69.962 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

دانلود دیتاشیت RUC002N05T116

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RUC002N05T116
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 25pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 200mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.2Ω@200mA,4.5V
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه