SPD30P06PGBTMA1 دیتاشیت

SPD30P06PGBTMA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SPD30P06PGBTMA1
حجم فایل 71.755 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت SPD30P06PGBTMA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies SPD30P06PGBTMA1
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 48nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1535pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1.7mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 75mΩ@21.5A,10V
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه