PMN30ENEAX دیتاشیت

PMN30ENEAX

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMN30ENEAX
حجم فایل 53.687 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت PMN30ENEAX

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PMN30ENEAX
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 667mW;7.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11.7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 440pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@5.4A,10V
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه