GT080N10K دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
GT080N10K
|
|
حجم فایل
|
79.902
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
6
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
GOFORD GT080N10K
-
Power Dissipation (Pd):
100W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
-
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
-
-
Continuous Drain Current (Id):
75A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1.3V
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
6.5mΩ
-
Package:
TO-263
-
Manufacturer:
GOFORD
