3DD13003F1D دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
3DD13003F1D
|
|
حجم فایل
|
64.75
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
5
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003F1D
-
Transistor Type:
1PCSNPN&1PCSPNP
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
1.5A
-
Power Dissipation (Pd):
800mW
-
Transition Frequency (fT):
5MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
15@200mA,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100uA
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
300mV@500mA,100mA
-
Package:
TO-92
-
Manufacturer:
Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
