SQS462EN-T1_GE3 دیتاشیت

SQS462EN-T1_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQS462EN-T1_GE3
حجم فایل 95.023 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت SQS462EN-T1_GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQS462EN-T1_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 33W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 470pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 63mΩ@4.3A,10V
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه