DMN2009LSS-13 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
DMN2009LSS-13
|
|
حجم فایل
|
88.635
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
5
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Diodes Incorporated DMN2009LSS-13
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
2W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
58.3nC@10V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2555pF@10V
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1.2V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
8mΩ@12A,10V
-
Package:
SO-8
-
Manufacturer:
Diodes Incorporated
