SI4116DY-T1-E3 دیتاشیت

SI4116DY-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4116DY-T1-E3
حجم فایل 93.277 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SI4116DY-T1-E3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI4116DY-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W;5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 56nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 25V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1925pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 18A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.6mΩ@10A,10V
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه