SI8812DB-T2-E1 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SI8812DB-T2-E1
|
|
حجم فایل
|
97.043
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI8812DB-T2-E1
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
500mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
17nC@8V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
-
-
Continuous Drain Current (Id):
2.3A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
59mΩ@1A,4.5V
-
Package:
MicroFoot-4
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
