RE1C002ZPTL دیتاشیت

RE1C002ZPTL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RE1C002ZPTL
حجم فایل 70.238 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت RE1C002ZPTL

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RE1C002ZPTL
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.4nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 115pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 200mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@100uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω@200mA,4.5V
  • Package: SOT-523(SC-75)
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه