PMDXB950UPEZ دیتاشیت

PMDXB950UPEZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMDXB950UPEZ
حجم فایل 61.674 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PMDXB950UPEZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PMDXB950UPEZ
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 265mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 2.1nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 43pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 500mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 950mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4Ω@500mA,4.5V
  • Package: SOT-1216
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه