NTMYS3D3N06CLTWG دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
NTMYS3D3N06CLTWG
|
|
حجم فایل
|
90.036
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
7
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi NTMYS3D3N06CLTWG
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
3.9W;100W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
40.7nC@10V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2880pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
26A;133A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
3mΩ@50A,10V
-
Package:
LFPAK-4
-
Manufacturer:
onsemi
