SI1050X-T1-GE3 دیتاشیت

SI1050X-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1050X-T1-GE3
حجم فایل 72.137 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SI1050X-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1050X-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 236mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11.6nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 8V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 585pF@4V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.34A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 86mΩ@1.34A,4.5V
  • Package: SC-89-6
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه