IPA65R190C7 دیتاشیت

IPA65R190C7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPA65R190C7
حجم فایل 76.886 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IPA65R190C7

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPA65R190C7
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 23nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1150pF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@290uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 190mΩ@5.7A,10V
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه