IPP039N10N5AKSA1 دیتاشیت

IPP039N10N5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPP039N10N5
حجم فایل 50.518 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت IPP039N10N5-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPP039N10N5AKSA1
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 188W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 95nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7000pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.8V@125uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.9mΩ@50A,10V
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه