onsemi NDS0610-G دیتاشیت

NDS0610-G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NDS0610-G
حجم فایل 80.665 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NDS0610-G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 Piece P-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NDS0610-G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 360mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 2.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 79pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 120mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10Ω@500mA,10V
  • Package: SOT-23-3

محصولات مشابه