SQ4917EY-T1_GE3 دیتاشیت

SQ4917EY-T1_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQ4917EY-T1_GE3
حجم فایل 89.118 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت SQ4917EY-T1_GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQ4917EY-T1_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Ta)
  • Power Dissipation (Pd): 5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 65nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1910pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 48mΩ@4.3A,10V
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه