SIS435DNT-T1-GE3 دیتاشیت

SIS435DNT-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIS435DNT-T1-GE3
حجم فایل 104.817 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SIS435DNT-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIS435DNT-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.7W;39W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 180nC@8V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5700pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.4mΩ@13A,4.5V
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه