RYC002N05T316 دیتاشیت

RYC002N05T316

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RYC002N05T316
حجم فایل 69.706 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت RYC002N05T316

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RYC002N05T316
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 26pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 200mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 800mV@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.2Ω@200mA,4.5V
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه