دیتاشیت MMBT3906TT1G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
MMBT3906TT1G
|
| حجم فایل |
79.072
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
7
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
onsemi MMBT3906TT1G
-
Transistor Type:
PNP
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
200mA
-
Transition Frequency (fT):
250MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
100@10mA,1V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
-
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
40V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
400mV@50mA,5mA
-
Package:
SOT-416
-
Manufacturer:
onsemi
