SI7818DN-T1-E3 دیتاشیت

SI7818DN-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI7818DN-T1-E3
حجم فایل 97.414 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SI7818DN-T1-E3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI7818DN-T1-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 30nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 2.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 135mΩ@3.4A,10V
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه