SI1070X-T1-GE3 دیتاشیت

SI1070X-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1070X-T1-GE3
حجم فایل 74.217 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SI1070X-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1070X-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 236mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 8.3nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 385pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.55V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 99mΩ@1.2A,4.5V
  • Package: SC-89-6
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه