- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت SIRA66DP-T1-GE3
دیتاشیت SIRA66DP-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | SIRA66DP-T1-GE3 |
---|---|
حجم فایل | 97.268 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت SIRA66DP-T1-GE3 |
SIRA66DP-T1-GE3 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SIRA66DP-T1-GE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 62.5W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 66nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): -
- Continuous Drain Current (Id): 50A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@1mA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.3mΩ@15A,10V
- Package: PowerPAK-SO-8
- Manufacturer: Vishay Intertech