SI1022R-T1-GE3 دیتاشیت

SI1022R-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1022R-T1-GE3
حجم فایل 68.158 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت SI1022R-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1022R-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 0.6nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 30pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 330mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.25Ω@500mA,10V
  • Package: SC-75A
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه