SIHD4N80E-GE3 دیتاشیت

SIHD4N80E-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIHD4N80E-GE3
حجم فایل 89.875 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت SIHD4N80E-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIHD4N80E-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 69W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 32nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 800V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 622pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.27Ω@2A,10V
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه