دیتاشیت TK9J90E,S1E
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
TK9J90E,S1E
|
| حجم فایل |
38.817
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
TOSHIBA TK9J90E,S1E
-
Power Dissipation (Pd):
250W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
46nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
900V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2000pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
9A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@900uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.3Ω@4.5A,10V
-
Package:
TO-3P-3
-
Manufacturer:
TOSHIBA
