SI2316DS-T1-GE3 دیتاشیت

SI2316DS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2316DS-T1-GE3
حجم فایل 69.309 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت SI2316DS-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI2316DS-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 700mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 215pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 800mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ@3.4A,10V
  • Package: TO-236-3
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه