IMZA65R072M1HXKSA1 دیتاشیت

IMZA65R072M1HXKSA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IMZA65R072M1HXKSA1
حجم فایل 80.85 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت IMZA65R072M1HXKSA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 96W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 22nC@18V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 744pF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 28A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5.7V@4mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 94mΩ@13.3A,18V
  • Package: TO-247-4
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه