IPA60R190P6 دیتاشیت

IPA60R190P6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPA60R190P6
حجم فایل 33.157 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 19

دانلود دیتاشیت IPA60R190P6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPA60R190P6XKSA1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 34W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 37nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1750pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 20.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@630u
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 190mΩ@7.6A,10V
  • Package: TO-220F
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه